特許

J-GLOBAL ID：201203053103868847

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 谷内 正導
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-214933
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069845
出願日： 2010年09月27日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】L型ガスノズルを設置する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ガスノズルの設置が容易な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置を、複数の基板をY方向に積層して処理する反応容器と、反応容器の側壁をY方向と垂直なX方向に貫通して設けられるガス導入ポートと、X方向に延在するX部とY方向に延在するY部とを有し反応容器内からガス導入ポート内にX部がX方向に挿入されX部とY部を貫通する第1ガス流路が設けられる第1ガス流路部と、反応容器内で第1ガス流路部のY部に接続されY方向に貫通する第2ガス流路が設けられる第2ガス流路部と、反応容器の内壁からX方向に突出して設けられY方向の第3ガス流路を有し第2ガス流路部に接続される第3ガス流路部と、第3ガス流路部に支持されY方向の第4ガス流路が設けられるとともにガスを基板に対して供給するガス供給口が設けられた第4ガス流路部とから構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の基板をY方向に積載して内部で処理する反応容器と、 該反応容器の側壁を前記Y方向と垂直なX方向に貫通して設けられ、反応容器外部のガス供給管と接続されるガス導入ポートと、 前記X方向に延在するX部と前記Y方向に延在するY部とを有し、前記反応容器内から前記ガス導入ポート内に前記X部が前記X方向に挿入され、前記X部とY部を貫通する第1ガス流路が設けられる第1ガス流路部と、 前記反応容器内で前記第1ガス流路部のY部に接続され、前記Y方向に貫通する第2ガス流路が設けられる第2ガス流路部と、 前記反応容器の内壁から内向きに前記X方向に突出して設けられ、前記Y方向に貫通する第3ガス流路を有し、前記第2ガス流路部に接続される第3ガス流路部と、 前記第3ガス流路部に支持され、前記Y方向に貫通する第4ガス流路が設けられるとともに該第4ガス流路からのガスを前記基板に対して供給するガス供給口が設けられた第4ガス流路部と、を備える基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (22件)：

4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06