特許
J-GLOBAL ID：201203053165918492

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法

発明者：
大久野 幸史

大久野 幸史 について

, 
樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041223
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178494
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：
【課題】炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、pウェル上に選択的にp+領域を形成し、また金属電極とp+領域とコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】n型のエピタキシャル層2の上部全体に高温イオン注入によってp+領域4aを形成し、当該p+領域4aを選択的にエッチングしてp+領域4a下のn型領域を部分的に露出させることにより、そのn型領域の上面より上方へ突出したp+半導体凸部4を形成する。アノード電極は、上記のn型領域の露出した部分およびp+半導体凸部4を覆うように形成される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
n型の炭化珪素から成る半導体層の上部全体にイオン注入によってp型領域を形成する工程と、 前記p型領域を選択的にエッチングして前記p型領域下のn型領域を部分的に露出させることにより、前記n型領域の上面より上方へ突出したp型半導体凸部を形成する工程と、 前記n型領域の露出した部分および前記p型半導体凸部を覆う金属電極を形成する工程とを備える ことを特徴とする炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/47 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L29/48 P ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 K
Fターム (11件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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