特許
J-GLOBAL ID：201203053766875626
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 酒本 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-079655
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216603
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板10と、異種基板10の主面10a上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜20と、スパッタ膜20上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。異種基板10は、主面10a部分に形成される凹部15を含み、凹部15は、傾斜面16を有するとともに、断面的に見て、略V字状に形成されている。また、傾斜面16は、凹部15の底側の傾斜角度が主面10a側の傾斜角度以下とされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板と、
前記異種基板の主面上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜と、
前記スパッタ膜上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備え、
前記異種基板は、前記主面部分に形成される凹部を含み、
前記凹部は、傾斜面を有するとともに、断面的に見て、略V字状に形成されており、
前記傾斜面は、前記凹部の底側の傾斜角度が前記主面側の傾斜角度以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA76
, 5F041FF11
, 5F141AA03
, 5F141AA40
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA67
, 5F141CA76
, 5F141FF11
