特許
J-GLOBAL ID：201203053877733278
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-055859
公開番号（公開出願番号）：特開2012-195321
出願日： 2011年03月14日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：
【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第1電極と、第2電極と、を備える。積層構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第1半導体層側の第1主面と、第2半導体層側の第2主面と、を有する。第1電極は、第2主面の側で第1半導体層と接する第1接触部を有する。第2電極は、第2主面で第2半導体層と接する部分を有する。第1半導体層の第1主面の側の表面は、第1部分と、第2部分と、を有する。第1部分は、積層方向にみたときに、第1接触部における第1半導体層との接触面と重なる部分を有する。第2部分は、積層方向にみたときに、第2半導体層と重なる部分を有する。第2部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第1部分は、第2部分の凹凸よりも平坦である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の一部に対向する第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層の前記一部と前記第2半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含み、前記第1半導体層側の第1主面と、前記第2半導体層側の第2主面と、を有する積層構造体と、
前記第2主面の側で前記第1半導体層と接する第1接触部を有する第1電極と、
前記第2主面で前記第2半導体層と接する部分を有する第2電極と、
を備え、
前記第1半導体層の前記第1主面の側の表面は、前記第1半導体層から前記第2半導体層へ向かう積層方向にみたときに、前記第1接触部における前記第1半導体層との接触面と重なる部分を有する第1部分と、前記第2半導体層と重なる部分を有する第2部分と、を有し、
前記第2部分は、前記発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有し、
前記第1部分は、前記第2部分の前記凹凸よりも平坦であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (24件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA92
, 5F041CB36
, 5F041DA07
, 5F041DA19
, 5F041DA34
, 5F041DA36
, 5F041DA42
, 5F041DA45
, 5F041DA58
, 5F041DA76
, 5F141AA03
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, 5F141CA92
, 5F141CB36
