特許

J-GLOBAL ID：201203054460321046

発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオード

発明者： 松村 篤 ,  徳永 悠
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-083618
公開番号（公開出願番号）：特開2012-222033
出願日： 2011年04月05日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

ウェハにレーザーを照射してチップ状の発光ダイオードを製造する方法において、 複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う一又は複数の膜からなる金属保護膜とからなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、 前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、 前記金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、 位置決めマークに基づいて、前記化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、 を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/30

FI (1件)：

H01L33/00 184

Fターム (30件)：

5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F141AA42 ,  5F141AA43 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA36 ,  5F141CA37 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA76 ,  5F141CA85 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CB15