特許

J-GLOBAL ID：201203054913265215

半導体ウエーハ及び半導体素子及びその製造方法

発明者： 柳原 将貴
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-010987
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151422
出願日： 2011年01月21日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】クラックが少なく表面の平坦性が良好な半導体ウエーハ及び半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハは、基板2と、基板2の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域3と、バッファ領域3の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域4とを有する半導体ウエーハであって、バッファ領域3は、第1の多層構造バッファ領域5と、基板と第1の多層構造バッファ領域5との間に配置された第2の多層構造バッファ領域8とから成る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域と、前記バッファ領域の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域とを有する半導体ウエーハであって、 前記バッファ領域は、第1の多層構造バッファ領域と、前記基板と前記第1の多層構造バッファ領域との間に配置された第2の多層構造バッファ領域とから成り、 前記第1の多層構造バッファ領域はサブ多層構造バッファ領域と単層構造バッファ領域との交互積層体から成り、 前記サブ多層構造バッファ領域は交互に配置された複数の第1及び第2の層を含み、 前記第1の層は前記基板を構成する材料よりも小さい格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記単層構造バッファ領域よりも薄く形成され、 前記第2の層は前記第1の層の格子定数と前記基板の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記単層構造バッファ領域よりも薄く形成され、 前記単層構造バッファ領域は前記第1の層の格子定数と前記基板の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記第1の層及び前記第2の層よりも厚く形成され、 前記第2の多層構造バッファ領域は交互に配置された複数の第3及び第4の層を含み、 前記第3の層は前記基板を構成する材料よりも小さい格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記単層構造バッファ領域よりも薄く形成され、 前記第4の層は前記第3の層の格子定数と前記基板の格子定数との間の格子定数を有する化合物半導体から成り且つ前記単層構造バッファ領域よりも薄く形成され、 前記第1の多層構造バッファ領域は前記主半導体領域の平均的に見た格子定数よりも小さい平均的に見た格子定数を有し、 前記第2の多層構造バッファ領域は、前記主半導体領域と前記サブ多層構造バッファ領域の平均的に見た格子定数よりも小さい平均的に見た格子定数を有していることを特徴とする半導体ウエーハ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (37件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN05 ,  5F152MM02 ,  5F152MM05 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエーハ及び半導体素子及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-049792   出願人：サンケン電気株式会社