SOI基板の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-006093
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164975
出願日： 2012年01月16日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】欠陥の少ない半導体層を得ること、及び信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】半導体基板中に、H2O+が水素イオン(H3+)に対して3%以下、好ましくは0.3%以下であるイオンビームを照射することにより、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するSOI基板の作製に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板中に、H2O+が水素イオン(H3+)に対して3%以下であるイオンビームを照射することにより、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L27/12 B , H01L21/265 Q , H01L21/20

Fターム (42件)：

5F152AA12 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CE03 , 5F152CE04 , 5F152CE06 , 5F152CE07 , 5F152CE08 , 5F152DD02 , 5F152FF01 , 5F152FF28 , 5F152FG04 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN11 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP11 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-246069 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
高純度イオンシャワーを用いるSOI構造の作成
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-513226 出願人：コーニングインコーポレイテッド
イオン注入方法及びSOIウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-206038 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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