特許

J-GLOBAL ID：201203055808306298

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 梶山 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (17件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-042690
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182219
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】書き込み電流を低減する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、半導体基板と、半導体基板の上方に配置され、垂直磁化膜で形成されたMTJ素子10と、MTJ素子10の上側に配置されかつ半導体基板に対して引っ張る方向に応力を加える引っ張り応力膜21及びMTJ素子10の下側に配置されかつ半導体基板に対して圧縮する方向に応力を加える圧縮応力膜の少なくとも一方を有する応力膜と、を具備する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上方に配置され、垂直磁化膜で形成されたMTJ素子と、 前記MTJ素子の上側に配置されかつ前記半導体基板に対して引っ張る方向に応力を加える引っ張り応力膜及び前記MTJ素子の下側に配置されかつ前記半導体基板に対して圧縮する方向に応力を加える圧縮応力膜の少なくとも一方を有する応力膜と、 を具備する磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (24件)：

4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE40 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04