特許

J-GLOBAL ID：201203056175776806

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 前田 将克 ,  二階堂 広基 ,  深町 星児
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-095433
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227441
出願日： 2011年04月21日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、主面に複数の埋込導電部(埋込導電部106)が設けられたシリコンウエハ102と、シリコンウエハ102の主面に配置された、埋込導電部106に電気的に接続する複数の第1の半導体素子(半導体チップ108)と、を備える構造体を用意する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、シリコンウエハ102の主面上の複数の半導体チップ108を封止する封止材層110を形成する工程と、シリコンウエハ102の裏面を研削して、裏面に埋込導電部106を露出させて、貫通プラグ105とする工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面に複数の埋込導電部が設けられたシリコンウエハと、前記シリコンウエハの主面に配置された、前記埋込導電部に電気的に接続する複数の第1の半導体素子と、を備える構造体を用意する工程と、 半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記シリコンウエハの前記主面上の複数の前記第1の半導体素子を封止する封止材層を形成する工程と、 前記シリコンウエハの裏面を研削して、前記裏面に前記埋込導電部を露出させて、貫通プラグとする工程と、を含み、 前記半導体封止用樹脂組成物は、下記の硬化条件下で硬化させた硬化物が下記式を満たすような材料で構成されている、半導体装置の製造方法。 (Tg-25°C)×(α1-α2)×E'≦20MPa Tg:前記硬化物のガラス転移温度(°C) E':前記硬化物の弾性率(Pa) α1:前記硬化物の線膨張係数(ppm/°C) α2:前記シリコンウエハの線膨張係数(ppm/°C) 硬化条件:前記半導体封止用樹脂組成物を125°C10分、150°C1時間の硬化条件で硬化する。

IPC (7件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/32

FI (5件)：

H01L21/56 R ,  H01L21/88 J ,  H01L23/14 S ,  H01L23/12 501P ,  H01L23/32 D

Fターム (22件)：

5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CB03