特許

J-GLOBAL ID：201203056821664051

低温におけるナノ粒子の焼結プロセス

発明者： マグダッシ,シュロモ ,  グルシュコ,マイケル ,  カマイシュニー,アレキサンダー
出願人/特許権者： イッサム リサーチ ディべロップメント カンパニー オブ ザ ヘブライ ユニバーシティー オブ エルサレム,リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人北青山インターナショナル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-501501
公開番号（公開出願番号）：特表2012-521493
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

基板上へのパターンの低温焼結のためのプロセスが開示されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にナノ粒子(NP)を焼結するためのプロセスであって、前記プロセスが、低温で少なくとも1の焼結剤に前記NPを接触させることで、前記基板上に焼結パターンを得るステップを有することを特徴とするプロセス。

IPC (4件)：

C23C 24/08 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00 ,  B41M 5/00

FI (5件)：

C23C24/08 A ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B41M5/00 A ,  C23C24/08 C

Fターム (40件)：

2H186AA17 ,  2H186AB03 ,  2H186AB10 ,  2H186AB35 ,  2H186AB41 ,  2H186BA08 ,  2H186BA10 ,  2H186BA11 ,  2H186DA07 ,  2H186DA08 ,  2H186DA12 ,  2H186DA14 ,  2H186DA18 ,  2H186FB11 ,  2H186FB15 ,  2H186FB16 ,  2H186FB17 ,  2H186FB25 ,  2H186FB29 ,  2H186FB48 ,  2H186FB50 ,  2H186FB56 ,  4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BA11 ,  4K044BA12 ,  4K044BA14 ,  4K044BA19 ,  4K044BA20 ,  4K044BA21 ,  4K044BB10 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA27 ,  4K044CA53 ,  4K044CA62