特許
J-GLOBAL ID：201203057970299435

下層組成物および下層を像形成する方法

発明者：
ピーター・トレフォナス

ピーター・トレフォナス について

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フィリップ・デネ・フスタッド

フィリップ・デネ・フスタッド について

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シンシア・ピエール

シンシア・ピエール について


出願人/特許権者：
ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. について

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ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー について


代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-211852
公開番号（公開出願番号）：特開2012-078828
出願日： 2011年09月28日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層120aの部分に拡散させる工程。前記下層120aは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層120aおよび感光層を加熱することを含み、下層120a中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層150bを形成する工程。前記自己組織化層150bは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第1もしくは第2のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。【選択図】図1J
請求項（抜粋）：
光酸発生剤を含む感光層において当該感光層の一部分を照射することにより発生した酸を隣の下層の部分に拡散させる工程、 前記下層は酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含み、 前記アタッチメント基は基体の親水性表面に共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層および感光層を加熱することを含み、下層中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する; 感光層を除去する工程; 下層の表面上に自己組織化層を形成する工程、 前記自己組織化層は極性領域に対する親和性を有する第1のブロックと、極性領域に対する親和性が第1のブロックよりも低い第2のブロックとを有するブロックコポリマーを含み、 第1のブロックは極性領域に対して整列する第1のドメインを形成し、および第2のブロックは第1のドメインの隣に整列する第2のドメインを形成する;並びに 第1のもしくは第2のドメインのいずれかを除去して下にある下層の部分を露出させる工程; を含むパターンを形成する方法。
IPC (7件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/04
FI (8件)：
G03F7/40 521 ,  G03F7/095 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/38 511 ,  G03F7/004 521 ,  H01L21/30 573 ,  C08F212/04
Fターム (55件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H125AH12 ,  2H125AJ13Y ,  2H125AJ44Y ,  2H125AJ64Y ,  2H125AM13N ,  2H125AM16N ,  2H125AM23N ,  2H125AM25N ,  2H125AN45N ,  2H125AN45P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC07 ,  2H125DA12 ,  4J100AB02P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL03P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03S ,  4J100AL04Q ,  4J100AL04R ,  4J100AL05Q ,  4J100AL05R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BC03R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA05 ,  4J100DA36 ,  4J100FA27 ,  4J100FA30 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38 ,  5F146NA19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-276896   出願人：キヤノン株式会社
審査官引用 (1件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-276896   出願人：キヤノン株式会社

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