磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012628
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178210
出願日： 2012年01月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FexPt100-x)(100-y)Ay}(100-z)Cz、ここでAがAuおよびCuの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により30≦x≦80、1≦y≦30、3≦z≦63で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、AuPt合金粉およびCuPt合金粉の少なくとも一方と、AgPt合金粉と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式:{(FexPt100-x)(100-y)Ay}(100-z)Cz、ここでAがAuおよびCuの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により30≦x≦80、1≦y≦30、3≦z≦63で表される組成を有した焼結体からなることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (9件)：

G11B 5/851 , C23C 14/34 , C04B 35/00 , C22C 38/00 , C22C 5/04 , C22C 33/02 , C22C 1/04 , B22F 3/00 , B22F 3/14

FI (9件)：

G11B5/851 , C23C14/34 A , C04B35/00 J , C22C38/00 303H , C22C5/04 , C22C33/02 G , C22C1/04 F , B22F3/00 E , B22F3/14 A

Fターム (45件)：

4G030AA60 , 4G030AA61 , 4G030BA01 , 4G030CA08 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA09 , 4G030GA11 , 4G030GA19 , 4G030GA24 , 4G030GA27 , 4G030GA29 , 4K018AA02 , 4K018AA24 , 4K018AB07 , 4K018BA01 , 4K018BA02 , 4K018BA13 , 4K018BA20 , 4K018BB04 , 4K018BC12 , 4K018CA02 , 4K018EA02 , 4K018HA08 , 4K018JA34 , 4K018KA29 , 4K018KA42 , 4K018KA63 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA31 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029DC02 , 4K029DC07 , 4K029DC09 , 4K029DC24 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 5D112AA05 , 5D112AA24 , 5D112FA04 , 5D112FB02

引用特許：

出願人引用 (2件)

FePtC薄膜を利用した高密度磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-367342 出願人：韓国科学技術院
記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-119888 出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (2件)

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