光導波路素子、光集積回路、光ゲートスイッチ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-145899
公開番号（公開出願番号）：特開2012-008430
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのSN比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。【解決手段】InGaAsやAlAsSbなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、TE光信号に対する反射構造(R1)を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路10を構成する。導波路端面(P1)から入力された信号光5は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造(R1)にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面(P1)から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

位相変調効果を有する光導波路素子であって、光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を備え、前記光信号が前記反射構造で反射され前記導波路端面から出力されることにより、位相変調領域での光信号の光路長が増大されることを特徴とする光導波路素子。

IPC (2件)：

G02F 1/017 , G02B 6/122

FI (2件)：

G02F1/017 503 , G02B6/12 A

Fターム (24件)：

2H079AA08 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079EA03 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 2H079EA27 , 2H079HA16 , 2H079JA07 , 2H147AB02 , 2H147AB04 , 2H147AB32 , 2H147BA15 , 2H147EA12A , 2H147EA12B , 2H147EA12C , 2H147FA08 , 2H147FA09 , 2H147FC03 , 2H147GA10 , 2H147GA19

引用特許：

審査官引用 (1件)

波長変換回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-027435 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

応用物理, 20100310, Vol.79,No.3, 225-229
OPTICS EXPRESS, 20080929, VOl.16,No.20, 15304-15311
Journal of Lightwave Technology, 20081001, Vol.26,No.19, 3363-3368

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