特許
J-GLOBAL ID：201203059638284281

シリコーン樹脂、封止材料および光半導体装置

発明者：
藤井 はるか

藤井 はるか について

, 
片山 博之

片山 博之 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (2件)： 岡本 寛之 ,  宇田 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-249094
公開番号（公開出願番号）：特開2012-102167
出願日： 2010年11月05日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有するシリコーン樹脂、そのシリコーン樹脂からなる封止材料、および、その封止材料が用いられる光半導体装置を提供すること。【解決手段】式(1)で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンとをヒドロシリル化触媒の存在下で反応して得られるシリコーン樹脂からなる封止材料を、光半導体素子の封止に用いる。(式中、R1は、1価の炭化水素基を示し、R2は、水素または1価の炭化水素基を示す。但し、かご型オクタシルセスキオキサン全体の平均値として、R2の1価の炭化水素基:水素のモル比が、6.5:1.5〜5.5:2.5の範囲である。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、 前記かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと をヒドロシリル化触媒の存在下で反応して得られることを特徴とする、シリコーン樹脂。
IPC (6件)：
C08L 83/07 ,  C08G 77/44 ,  C08L 83/05 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/56
FI (6件)：
C08L83/07 ,  C08G77/44 ,  C08L83/05 ,  H01L23/30 R ,  H01L23/30 F ,  H01L33/00 424
Fターム (46件)：
4J002CP04X ,  4J002CP14W ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ00 ,  4J246AA03 ,  4J246AB02 ,  4J246BA02 ,  4J246BA02X ,  4J246BA020 ,  4J246BA25 ,  4J246BA25X ,  4J246BA28 ,  4J246BA28X ,  4J246BA280 ,  4J246BB02 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246BB022 ,  4J246BB14X ,  4J246BB142 ,  4J246BB143 ,  4J246CA01 ,  4J246CA01U ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA34 ,  4J246CA34U ,  4J246CA34X ,  4J246CA340 ,  4J246FA221 ,  4J246FA222 ,  4J246FC161 ,  4J246FC162 ,  4J246GC15 ,  4J246GC16 ,  4J246GC23 ,  4J246HA28 ,  4J246HA29 ,  4J246HA66 ,  4M109AA01 ,  4M109EA10 ,  4M109GA01 ,  5F041AA31 ,  5F041DA45 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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