特許
J-GLOBAL ID：201203059810775934
パワーモジュール構造、その構造を有するパワーモジュール、およびその構造の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
曾我 道治
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
, 吉田 潤一郎
, 飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041723
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009815
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】絶縁基板の上下の金属層端同士の間隔を変えることで高電界箇所の電界を緩和したパワーモジュール構造において、電界緩和効果を保ったまま、上下金属層端同士の間隔を小さくし、基板寸法縮小、応力緩和、欠陥抑制効果を得ることができる構造を得る。【解決手段】上部金属層端部7と絶縁基板端部9との間隔が、下部金属層端部8と絶縁基板端部9との間隔よりも小さく、絶縁封止材6の誘電率よりも低い誘電率の基板下絶縁物10を絶縁基板1と金属ベース板4との間の空間に充填するようにしたので、電界緩和効果を保ったまま、上下金属層端同士の間隔aを小さくし、基板寸法縮小、応力緩和、欠陥抑制効果を実現する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
金属ベース板と、
前記金属ベース板上に設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の上下面にそれぞれ接合された上部金属層および下部金属層と、
前記絶縁基板の周囲を絶縁する絶縁封止材と
を備え、
前記下部金属層の端部の位置と前記絶縁基板の端部の位置との間の間隔が、前記上部金属層の端部の位置と前記絶縁基板の端部の位置との間の間隔よりも大きく、
前記下部金属層が設けられていない前記絶縁基板下の前記金属ベース板との間の隙間に、誘電率が前記絶縁封止材の誘電率よりも低い絶縁物が充填されている
ことを特徴とするパワーモジュール構造。
IPC (3件)：
H01L 23/13
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/12 C
, H01L25/04 C
