特許
J-GLOBAL ID:201203061290217377
電力半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
大岩 増雄
, 児玉 俊英
, 竹中 岑生
, 村上 啓吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-187040
公開番号(公開出願番号):特開2012-049167
出願日: 2010年08月24日
公開日(公表日): 2012年03月08日
要約:
【課題】大容量の電力半導体素子に適した高放熱性と放熱フィンの変形の防止に対応した電力半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】電力半導体装置1は、電力半導体素子2と、電力半導体素子2を載置するベース板4と、ベース板4の電力半導体素子2を載置する面と反対側の面に形成された放熱フィン7と、放熱フィン7を壁面の一部として、通風路を形成する包囲体8と、電力半導体素子2を封止するモールド樹脂12と、を備え、包囲体8を通風路として空気流により電力半導体素子2を冷却することにより、大容量の電力半導体素子2に対しても小型で効率がよく、冷却性能の優れた電力半導体装置1を実現することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電力半導体素子と、
前記電力半導体素子を載置するベース板と、
前記電力半導体素子を封止するモールド樹脂と、
前記ベース板の前記電力半導体素子が載置される面と反対側の面に溝加工が施され、前記溝にかしめにより固着された放熱フィンと、
前記放熱フィンを通風路となる空間を残して囲む包囲体と、を備えたことを特徴とする電力半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L23/36 C
, H01L25/04 C
Fターム (5件):
5F136BA07
, 5F136BB11
, 5F136DA05
, 5F136DA07
, 5F136DA27
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