特許

J-GLOBAL ID：201203061519314908

半導体発光素子

発明者： 飯塚 和幸 ,  渡邊 優洋 ,  藤本 哲爾
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-279382
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129357
出願日： 2010年12月15日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。【解決手段】第一の導電型層11と第二の導電型層12に挟まれた発光層13を有する化合物半導体14において、第一の主表面11aを光取り出し面とし、第二の主表面12aに発光層13からの光を第一の主表面11a側に反射させる反射金属膜15を介して、支持基板16と化合物半導体14が結合され、化合物半導体14の第二の主表面12aと反射金属膜15間に透明絶縁膜17を有し、透明絶縁膜17の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極18を有する半導体発光素子において、発光波長が780nm以上の赤外光であり、第一の導電型層11の内、V族がAs系層である総膜厚が1.0μm以上であり、第一の導電型層11、発光層13、第二の導電型層12および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、0.30eV以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体で形成され、第一の主表面を有する第一の導電型層と第二の主表面を有する第二の導電型層に挟まれた発光層を有する化合物半導体において、前記第一の主表面を光取り出し面とし、前記第二の主表面に前記発光層からの光を前記第一の主表面側に反射させる反射面を有する反射金属膜を介して、支持基板と前記化合物半導体が結合され、前記化合物半導体の第二の主表面と前記反射金属膜間に透明絶縁膜を有し、該透明絶縁膜の一部に透明絶縁膜を貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極を有し、前記第一の導電型層に外部より電子または正孔を注入するための電極パットおよび、前記支持基板裏面側に外部より電子または正孔を注入するための電極が形成された半導体発光素子において、 発光波長が780nm以上の赤外光であり、前記第一の導電型層の内、V族がAs系層である総膜厚が1.0μm以上であり、前記第一の導電層、前記発光層、前記第二の導電層および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、0.30eV以下であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/30 ,  H01L 33/38 ,  H01L 33/22

FI (3件)：

H01L33/00 184 ,  H01L33/00 210 ,  H01L33/00 172

Fターム (32件)：

5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F141AA04 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA36 ,  5F141CA53 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA84 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36