特許

J-GLOBAL ID：201203061847062592

窒化ガリウム成形物及びその製造方法

発明者： 召田 雅実 ,  松丸 慶太郎 ,  高橋 小弥太 ,  菊池 僚 ,  渋田見 哲夫
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278931
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144805
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】 低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるGa/(Ga+N)のモル比が55%以上80%以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるGa/(Ga+N)のモル比が55%以上80%以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/58 ,  C30B 29/38 ,  C30B 23/02

FI (4件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/58 101Z ,  C30B29/38 D ,  C30B23/02

Fターム (31件)：

4G001BA31 ,  4G001BA61 ,  4G001BA73 ,  4G001BB31 ,  4G001BB61 ,  4G001BB73 ,  4G001BC33 ,  4G001BC43 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD22 ,  4G001BE26 ,  4G001BE33 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA11 ,  4G077EC01 ,  4G077EC05 ,  4G077EC07 ,  4G077EC10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K029BA58 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39