特許

J-GLOBAL ID：201203061999628419

半導体装置の製造方法および補強板

発明者： 柴田 浩延
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 砂井 正之 ,  藤原 康高 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-060275
公開番号（公開出願番号）：特開2012-195539
出願日： 2011年03月18日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：

【課題】半導体基板の薄化工程および薄化後の工程において半導体基板を補強し、且つ補強したまま素子特性が取得できる半導体装置の製造方法および補強板を提供する。【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、半導体基板11を接着剤42で覆い、補強板30を第1パッド16、17、18と第1貫通孔31、32、33が上下重なるように接合する。半導体基板11を第2の面11b側から所定の厚さになるまで除去し、所定の処理を施した後、電極膜19を形成する。第1貫通孔31、32、33に接着剤40の除去液43を注入して、第1パッド16、17、18を露出させる。第1パッド16、17、18に第1貫通孔31、32、33を通してプローブ45、46、47を当接し、プローブ45と電極膜19の間の電流を測定する。第1貫通孔31、32、33に除去液51を注入し、半導体基板11と補強板30を分離する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

対向する第1の面と第2の面を有し、前記第1の面側に選択的に複数の第1パッドが形成された半導体基板を接着剤で覆う工程と、 対向する第1の面と第2の面を有し、前記第1パッドに対応して複数の第1貫通孔が形成された補強板を、前記第1パッドと前記第1貫通孔とが上下重なるように前記半導体基板に接合する工程と、 前記補強板が接合された前記半導体基板を前記第2の面側から所定の厚さになるまで除去する工程と、 前記半導体基板の前記第2の面側に所定の処理を施し、電極膜を形成する工程と、 前記第1貫通孔に前記接着剤の除去液を注入して、前記第1パッドを露出させる工程と、 露出した前記第1パッドに前記第1貫通孔を通してプローブを当接し、前記プローブと前記電極膜の間に流れる電流を測定する工程と、 前記第1貫通孔に前記除去液を注入し、前記半導体基板と前記補強板を分離する工程と、 前記補強板から分離された前記半導体基板を、チップに切断する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/683 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

H01L21/66 Z ,  H01L21/68 N ,  H01L29/44 L ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/66 B

Fターム (20件)：

4M104BB02 ,  4M104FF02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DJ38 ,  4M106DJ40 ,  5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031HA37 ,  5F031MA33 ,  5F031PA20 ,  5F057BA21 ,  5F057BB03 ,  5F057CA14 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30