特許

J-GLOBAL ID：201203062018009745

固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器

発明者： 中村 良助
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-063974
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199489
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】基板30と、基板30に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部PDを備える。また、光電変換部PDの深さに応じて基板30の一方の面側から深さ方向に形成された溝部29に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極20を備える。そして、縦型の転送ゲート電極20を備える固体撮像装置において、光電変換部PDに蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパス27が、転送ゲート電極20の底部に形成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、 前記光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極と、 前記転送ゲート電極の底部に形成され、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスと、 を備える固体撮像装置。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA22 ,  4M118CA24 ,  4M118DA07 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  4M118FA14 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08