半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：砂井正之 , 藤原康高 , 山下一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-047380
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186262
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】しきい値を電気的に調整可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10では、チャネル領域14は対向する第1、第2の面14a、14bを有している。第1、第2不純物領域15、16が、チャネル領域14の両側に配設されている。第1ゲート電極18は、第1ゲート絶縁膜19を介して第1の面14aに、第1ゲート電圧Vg1が印加されると生じる第1反転層23の一側が第1不純物領域15に接触し、他側が第2不純物領域16から離間するように配設されている。第2ゲート電極20は、第2ゲート絶縁膜21を介して第2の面14bに、第2ゲート電圧Vg2が印加されると生じる第2反転層24の一側が第2不純物領域16に接触し、他側が第1不純物領域15から離間するように配設されている。第1、第2ゲート電圧Vg1、Vg2に応じて、第1、第2反転層23、24が接触し、第1、第2不純物領域15、16間が導通する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面および前記第1の面に対向する第2の面を有する第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配設された第2導電型の第1不純物領域および第2導電型の第2不純物領域と、第1ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の前記第1の面に、第1ゲート電圧が印加されると前記チャネル領域に生じる第1反転層の一側が前記第1不純物領域に接触し、他側が前記第2不純物領域から離間するように配設された第1ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の前記第2の面に、第2ゲート電圧が印加されると前記チャネル領域に生じる第2反転層の一側が前記第2不純物領域に接触し、他側が前記第1不純物領域から離間するように配設された第2ゲート電極と、を具備し、前記第1および第2ゲート電圧に応じて、前記第1および第2反転層が接触し、前記第1および第2不純物領域間が導通することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (6件)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 618C , H01L29/78 617N , H01L29/78 301H , H01L29/58 G , H01L29/78 301X

Fターム (66件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD43 , 4M104DD66 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104FF04 , 4M104FF08 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F110AA08 , 5F110BB03 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE09 , 5F110EE27 , 5F110EE38 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110HJ01 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110QQ11 , 5F140AA06 , 5F140AA30 , 5F140AB04 , 5F140AC33 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BB03 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BC15 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF42 , 5F140BF46 , 5F140BF47 , 5F140BF51 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BH18 , 5F140BK13 , 5F140BK14

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