特許
J-GLOBAL ID:201203062446741574
プリアプライド用封止樹脂組成物、半導体チップおよび半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
速水 進治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-026700
公開番号(公開出願番号):特開2012-167138
出願日: 2011年02月10日
公開日(公表日): 2012年09月06日
要約:
【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しB-ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)無機充填剤と、(D)溶剤と、(E)アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しB-ステージ化させた後、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される、該半導体チップと該基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るためのプリアプライド用封止樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂と、
(B)硬化剤と、
(C)無機充填剤と、
(D)溶剤と、
(E)アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなることを特徴とするプリアプライド用封止樹脂組成物。
IPC (10件):
C08L 63/00
, C08K 5/544
, C08K 3/00
, C08K 5/00
, C08G 59/00
, B05D 1/40
, B05D 7/24
, H01L 21/60
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (9件):
C08L63/00 Z
, C08K5/544
, C08K3/00
, C08K5/00
, C08G59/00
, B05D1/40 A
, B05D7/24 302U
, H01L21/60 311S
, H01L23/30 R
Fターム (47件):
4D075AC64
, 4D075DA06
, 4D075DC22
, 4D075EB33
, 4D075EC01
, 4D075EC07
, 4D075EC13
, 4D075EC30
, 4D075EC45
, 4D075EC54
, 4J002CC032
, 4J002CD041
, 4J002CD061
, 4J002CK002
, 4J002CN002
, 4J002DE147
, 4J002DE237
, 4J002DF017
, 4J002DJ017
, 4J002ED058
, 4J002EF116
, 4J002EH018
, 4J002EH128
, 4J002EN036
, 4J002EN046
, 4J002EN076
, 4J002EQ026
, 4J002EV216
, 4J002EX076
, 4J002FD017
, 4J002FD142
, 4J002FD146
, 4J002FD208
, 4J002GQ01
, 4J036AA02
, 4J036AD08
, 4J036DB06
, 4J036DB22
, 4J036DC02
, 4J036DC35
, 4J036JA07
, 4M109CA04
, 4M109EA02
, 4M109EB06
, 4M109EB16
, 5F044LL11
, 5F044RR17
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