特許

J-GLOBAL ID：201203063285010163

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 佐藤 秀夫
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (6件)： 土井 健二 ,  林 恒徳 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  眞鍋 潔 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-180028
公開番号（公開出願番号）：特開2012-039024
出願日： 2010年08月11日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：

【課題】 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、ワイヤーフローを防止するとともに、半導体装置の外形サイズを均一にする。【解決手段】 半導体素子を搭載し、前記半導体素子の電極と基板の配線パターンとをボンディングワイヤで接続し、前記基板の裏面に設けた基板電極に外部端子を接続した封止前基板を樹脂封止する際に、封止装置を用いて圧縮成形封止方法により前記封止前基板を樹脂封止して封止中基板とする第1の樹脂封止工程と、前記封止装置と同じ封止装置を用いてトランスファー封止方法により前記封止中基板を樹脂封止する第2の樹脂封止工程とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載し、前記半導体素子の電極と基板の配線パターンとをボンディングワイヤで接続し、前記基板の裏面に設けた基板電極に外部端子を接続した封止前基板を樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、 封止装置を用いて圧縮成形封止方法により前記封止前基板を樹脂封止して封止中基板とする第1の樹脂封止工程と、 前記封止装置と同じ封止装置を用いてトランスファー封止方法により前記封止中基板を連続して樹脂封止する第2の樹脂封止工程と を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/56

FI (1件)：

H01L21/56 T

Fターム (5件)：

5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CA22 ,  5F061DA01