特許

J-GLOBAL ID：201203063544542527

光励起半導体及びそれを用いたデバイス

発明者： 谷口 昇 ,  鈴木 孝浩 ,  徳弘 憲一 ,  田村 聡 ,  野村 幸生 ,  羽藤 一仁
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  間中 恵子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-006902
公開番号（公開出願番号）：特開2012-148216
出願日： 2011年01月17日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】光照射により励起して、光触媒として機能できる光励起半導体を提供する。【解決手段】本発明の光励起半導体は、ペロブスカイト型酸化物の半導体であって、一般式:BaZrxM1-xO3(式中、Mは、最高価数が4価をとるZr以外の元素から選択される少なくとも何れか1種の元素であり、xは0よりも大きく1未満の数値である。)で表される組成を有する。一般式:BaZr1-xMxO3において、xは、0よりも大きく0.5以下の数値であることが好ましい。Mは、例えばSn、Ge、Si及びPbからなる群から選択される少なくとも何れか1種が好ましく、Sn及びGeからなる群から選択される少なくとも何れか1種がより好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型酸化物の半導体であって、 一般式:BaZr1-xMxO3 (式中、Mは、最高価数が4価をとるZr以外の元素から選択される少なくとも何れか1種の元素であり、xは0よりも大きく1未満の数値である。) で表される組成を有する、光励起半導体。

IPC (6件)：

B01J 35/02 ,  B01J 23/14 ,  B01J 23/02 ,  B01J 37/08 ,  C01B 3/04 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

B01J35/02 J ,  B01J23/14 M ,  B01J23/02 M ,  B01J37/08 ,  C01B3/04 A ,  H01L31/04 E

Fターム (44件)：

4G169BA48A ,  4G169BB06A ,  4G169BB06B ,  4G169BC13A ,  4G169BC13B ,  4G169BC21A ,  4G169BC21B ,  4G169BC22A ,  4G169BC22B ,  4G169BC23A ,  4G169BC23B ,  4G169BC51A ,  4G169BC51B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CA17 ,  4G169CB81 ,  4G169CC27 ,  4G169CD10 ,  4G169DA05 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169EA08 ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169EC21X ,  4G169EC21Y ,  4G169FA01 ,  4G169FB04 ,  4G169FB30 ,  4G169HA01 ,  4G169HA03 ,  4G169HB06 ,  4G169HE03 ,  4G169HE05 ,  4G169HE06 ,  4G169HE07 ,  4G169HE08 ,  4G169HE09 ,  4G169HE10 ,  4G169HF02 ,  5F151AA07 ,  5F151DA03 ,  5F151HA01