特許
J-GLOBAL ID:201203063964511031
過電流保護装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
田下 明人
, 立石 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-007662
公開番号(公開出願番号):特開2012-151592
出願日: 2011年01月18日
公開日(公表日): 2012年08月09日
要約:
【課題】IGBT素子の短絡耐量を向上させ得る過電流保護装置を提供する。【解決手段】過電流保護装置20では、各IGBT11a〜11fにゲート電圧Vgを印可するゲート駆動回路15に対してオフ信号を出力することで当該ゲート電圧Vgの印可を停止可能な保護回路22と、直流電源Eの電源電圧を制御可能な電源電圧制限回路23と、電源電圧を平滑化する平滑コンデンサCに蓄積された電荷を放電可能な放電回路24と、が設けられている。そして、電流検出部21により過電流が検出されると、保護回路22によりゲート電圧Vgの印可が停止され、電源電圧制限回路23により電源電圧が低減され、放電回路24により平滑コンデンサCに蓄積された電荷が放電される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
IGBT素子に対する過電流を検出する検出手段を備え、この検出手段により前記過電流が検出されると前記IGBT素子を保護する過電流保護装置であって、
前記IGBT素子にゲート電圧を印可する駆動回路に対してオフ信号を出力することで当該ゲート電圧の印可を停止可能な保護回路と、
前記IGBT素子により電源電圧がスイッチングされる電源の当該電源電圧を制御可能な電源電圧制御回路と、
前記電源に並列接続されて前記電源電圧を平滑化する平滑コンデンサに蓄積された電荷を放電可能な放電回路と、を備え、
前記検出手段により前記過電流が検出されると、前記保護回路により前記ゲート電圧の印可が停止され、前記電源電圧制御回路により前記電源電圧が低減され、前記放電回路により前記平滑コンデンサに蓄積された電荷が放電されることを特徴とする過電流保護装置。
IPC (3件):
H03K 17/08
, H03K 17/687
, H02M 7/48
FI (3件):
H03K17/08 Z
, H03K17/687 Z
, H02M7/48 M
Fターム (27件):
5H007AA06
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007DB02
, 5H007DB03
, 5H007FA03
, 5H007FA13
, 5H007FA17
, 5J055AX34
, 5J055AX64
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055CX20
, 5J055DX03
, 5J055DX09
, 5J055DX56
, 5J055DX83
, 5J055EX06
, 5J055EY01
, 5J055EY13
, 5J055FX04
, 5J055FX13
, 5J055FX32
, 5J055FX34
, 5J055GX02
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