特許

J-GLOBAL ID：201203064169696259

中空マイクロチューブ構造体およびその作製方法ならびに生体検査装置

発明者： 石田 誠 ,  河野 剛士 ,  川島 貴弘 ,  竹井 邦晴
出願人/特許権者： 国立大学法人豊橋技術科学大学
代理人 (2件)： 柴田 肇 ,  井川 浩文
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010054893
公開番号（公開出願番号）：WO2010-107122
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2010年09月23日
要約：

低侵襲の電極として使用できる中空マイクロチューブ構造体およびその製造方法を提供し、上記中空マイクロチューブ構造体を使用した生体検査装置を提供する。 中空マイクロチューブ構造体は、半導体基板2と、この半導体基板の表面上に形成された中空チューブ4とを備えた中空マイクロチューブ構造体であって、中空チューブは、内部表面に金属被膜層6を設け、その外側に絶縁被膜層7を設けてなる中空チューブであり、半導体基板は、中空チューブの形成位置において中空チューブの内部に連通する貫通孔を有する。その製造方法は、浸食工程と、擬制層形成工程と、金属被膜層形成工程と、絶縁被膜層形成工程と、先端除去工程と、穿孔工程とからなる。生体検査装置は、中空マイクロチューブ構造体の基板側に、電気信号発信器、光学的信号発信器、薬液注入器、電気的計測器、化学的計測器および光学的計測器のうち少なくとも一つを備えた構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 該半導体基板の表面に対して直交方向に直線状に中空部を形成してなり、かつ、マイクロスケールの筒状に該表面上に設けられた少なくとも1つの中空チューブと、 該中空チューブの内部表面を構成する金属被膜層と、 前記中空チューブの外部表面を構成する絶縁被膜層と、 前記中空チューブの中空部の延長上に連通しつつ前記半導体基板の裏面で開口する貫通孔と、 を備えたことを特徴とする中空マイクロチューブ構造体。

IPC (6件)：

A61B 5/040 ,  A61B 5/047 ,  A61B 5/049 ,  B81B 1/00 ,  A61B 10/00 ,  B81C 1/00

FI (5件)：

A61B5/04 300J ,  B81B1/00 ,  A61B5/04 300W ,  A61B10/00 E ,  B81C1/00

Fターム (9件)：

3C081BA11 ,  3C081BA12 ,  3C081BA23 ,  3C081BA72 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081DA03 ,  3C081EA39