特許

J-GLOBAL ID：201203064457400658

半導体デバイスの製造方法

発明者： 浅井 優幸 ,  岡宮 弘樹 ,  久門 佐多雄 ,  中磯 直春 ,  水野 謙和
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-160265
公開番号（公開出願番号）：特開2012-023221
出願日： 2010年07月15日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：

【課題】第1ガスの使用効率を向上させる。【解決手段】処理室に連通する第1ノズルから、処理室内の排気速度を低下させた状態で処理室内に第1ガスを供給する工程と、第1ガスの供給を止めた後、第1ノズル内に不活性ガスを供給する工程と、処理室内に残留する第1ガスを除去する工程と、を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板が載置された処理室に連通する第1ノズルから、前記処理室内の排気速度を低下させた状態で前記処理室内に第1ガスを供給する第1ガス供給工程と、 前記第1ガスの供給を止めた後、前記第1ノズル内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、 前記処理室内に残留する前記第1ガスを除去する第1ガス除去工程と、 前記処理室に連通する第2ノズルから前記処理室内に第2ガスを供給する第2ガス供給工程と、 前記処理室内に残留する前記第2ガスを除去する第2ガス除去工程と、を有する ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 C

Fターム (43件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13 ,  5F045EG02 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BG02