特許

J-GLOBAL ID：201203064492437190

パターン形成方法

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-145544
公開番号（公開出願番号）：特開2012-032807
出願日： 2011年06月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する(メタ)アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる溶剤1種以上を40質量%以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。【効果】本発明によれば、安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する(メタ)アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる溶剤1種以上を40質量%以上含有する溶液による現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28

FI (5件)：

G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28

Fターム (62件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11R ,  4J100BA20P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC15Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100BC58P ,  4J100BC58R ,  4J100BC60R ,  4J100BC84P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38