特許

J-GLOBAL ID：201203064527310295

多孔性絶縁体及び電界効果トランジスタ

発明者： 太田 裕道 ,  水野 拓 ,  小野 貴司 ,  萩原 三雄
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学 ,  東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-144197
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033910
出願日： 2011年06月29日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】例えば、チタン酸ストロンチウムを活性層とした電界効果トランジスタのゲート絶縁体としても使用することのできる、新規な絶縁体を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性を示す材質中に直径5〜100nmである空孔を複数有し、全体の体積に対する前記空孔の占める体積の割合である空孔率が20体積%以上であり、前記空孔には水分が含まれ、前記空孔の体積に対する前記水分の占める体積の割合である水分占有率が23〜100体積%である多孔性絶縁体を使用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性を示す材質中に直径5〜100nmである空孔を複数有し、 全体の体積に対する前記空孔の占める体積の割合である空孔率が20体積%以上であり、 前記空孔には水分が含まれ、前記空孔の体積に対する前記水分の占める体積の割合である水分占有率が23〜100体積%である多孔性絶縁体。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (7件)：

H01L21/316 X ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34

Fターム (47件)：

5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF11 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F140AA00 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD14 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BK29