特許

J-GLOBAL ID：201203064616481680

SiC単結晶の製造方法

発明者： 郡司島 造 ,  浦上 泰 ,  安達 歩
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (2件)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190102
公開番号（公開出願番号）：特開2012-046377
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】欠陥を生成させるおそれが少なく、かつ均質なSiC単結晶を製造することが可能なSiC単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】以下の構成を備えたSiC種結晶12を用いて、SiC種結晶12の表面に新たな結晶を成長させる第1成長工程を備えたSiC単結晶の製造方法。(1)SiC種結晶12は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。(2)SiC種結晶12の主成長面上にある{0001}面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。(3)主方向に沿って、{0001}面最上位部側から外周に向かって存在する副成長面を、順次、第1副成長面、第2副成長面、...第n副成長面(n≧2)とする場合、第k副成長面(1≦k≦n-1)のオフセット角θkと第(k+1)副成長面のオフセット角θk+1との間に、θk<θk+1の関係が成り立つ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の構成を備えたSiC種結晶を用いて、前記SiC種結晶の表面に新たな結晶を成長させる第1成長工程を備えたSiC単結晶の製造方法。 (1)前記SiC種結晶は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。 但し、「前記主成長面」とは、前記SiC種結晶の露出面の内、その法線ベクトルが坩堝中心軸原料方向成分を有する面をいう。 (2)前記SiC種結晶の主成長面上にある{0001}面最上位部から前記主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の前記副成長面を有する方向(主方向)が存在する。 (3)前記主方向に沿って、{0001}面最上位部側から外周に向かって存在する前記副成長面を、順次、第1副成長面、第2副成長面、...第n副成長面(n≧2)とする場合、第k副成長面(1≦k≦n-1)のオフセット角θkと第(k+1)副成長面のオフセット角θk+1との間に、θk<θk+1の関係が成り立つ。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12