特許
J-GLOBAL ID：201203064616481680
SiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
畠山 文夫
, 小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190102
公開番号（公開出願番号）：特開2012-046377
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】欠陥を生成させるおそれが少なく、かつ均質なSiC単結晶を製造することが可能なSiC単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】以下の構成を備えたSiC種結晶12を用いて、SiC種結晶12の表面に新たな結晶を成長させる第1成長工程を備えたSiC単結晶の製造方法。(1)SiC種結晶12は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。(2)SiC種結晶12の主成長面上にある{0001}面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。(3)主方向に沿って、{0001}面最上位部側から外周に向かって存在する副成長面を、順次、第1副成長面、第2副成長面、...第n副成長面(n≧2)とする場合、第k副成長面(1≦k≦n-1)のオフセット角θkと第(k+1)副成長面のオフセット角θk+1との間に、θk<θk+1の関係が成り立つ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下の構成を備えたSiC種結晶を用いて、前記SiC種結晶の表面に新たな結晶を成長させる第1成長工程を備えたSiC単結晶の製造方法。
(1)前記SiC種結晶は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。
但し、「前記主成長面」とは、前記SiC種結晶の露出面の内、その法線ベクトルが坩堝中心軸原料方向成分を有する面をいう。
(2)前記SiC種結晶の主成長面上にある{0001}面最上位部から前記主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の前記副成長面を有する方向(主方向)が存在する。
(3)前記主方向に沿って、{0001}面最上位部側から外周に向かって存在する前記副成長面を、順次、第1副成長面、第2副成長面、...第n副成長面(n≧2)とする場合、第k副成長面(1≦k≦n-1)のオフセット角θkと第(k+1)副成長面のオフセット角θk+1との間に、θk<θk+1の関係が成り立つ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
