光電変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276333
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124439
出願日： 2010年12月10日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】少ないメモリセル部の数で焦点検出を行うことができる光電変換装置を提供することを課題とする。【解決手段】光電変換素子により光電変換された信号を共通出力線に出力するセンサセル部(101)と、共通出力線の信号を転送容量に蓄積して転送する転送回路部(201)と、共通出力線の信号を第1〜第3メモリ容量に記憶し、第1〜第3メモリ容量の信号を反転増幅して共通出力線に出力する第1〜第3メモリセル部(301、401、501)とを有し、第1メモリセル部はリセットに起因するリセットノイズ信号を第1メモリ容量に書き込み、第3メモリセル部は第1メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第3メモリ容量に書き込み、第2メモリセル部は第3メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第2メモリ容量に書き込み、転送回路部は第2メモリセル部のリセットノイズ信号とセンサセル部の出力信号を加算する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

共通出力線と、光電変換素子により光電変換された信号を前記共通出力線に出力するセンサセル部と、前記共通出力線に接続され、前記共通出力線の信号を転送容量に蓄積して転送する転送回路部と、前記共通出力線に接続され、前記共通出力線の信号を第1メモリ容量に記憶し、前記第1メモリ容量の信号を反転増幅して前記共通出力線に出力する第1メモリセル部と、前記共通出力線に接続され、前記共通出力線の信号を第2メモリ容量に記憶し、前記第2メモリ容量の信号を反転増幅して前記共通出力線に出力する第2メモリセル部と、前記共通出力線に接続され、前記共通出力線の信号を第3メモリ容量に記憶し、前記第3メモリ容量の信号を反転増幅して前記共通出力線に出力する第3メモリセル部とを有し、前記第1メモリセル部は、前記光電変換素子、前記転送容量、前記第1メモリ容量、前記第2メモリ容量及び前記第3メモリ容量のリセットに起因するリセットノイズ信号を前記第1メモリ容量に書き込み、前記第3メモリセル部は、前記第1メモリセル部が前記第1メモリ容量に書き込まれているリセットノイズ信号を反転増幅したリセットノイズ信号を前記第3メモリ容量に書き込み、前記第2メモリセル部は、前記第3メモリセル部が前記第3メモリ容量に書き込まれているリセットノイズ信号を反転増幅したリセットノイズ信号を前記第2メモリ容量に書き込み、前記転送回路部は、前記第2メモリセル部が前記第2メモリ容量に書き込まれているリセットノイズ信号を反転増幅した信号と前記センサセル部が出力する信号とが加算された信号を前記転送容量に書き込むことを特徴とする光電変換装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H04N 5/232 , G03B 13/36 , G02B 7/34 , G02B 7/28

FI (5件)：

H01L27/14 A , H04N5/232 A , G03B3/00 A , G02B7/11 C , G02B7/11 N

Fターム (20件)：

2H011BA23 , 2H011BB02 , 2H151BA17 , 2H151CB24 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118DB09 , 4M118DD09 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA33 , 4M118FA38 , 5C122EA56 , 5C122FC03 , 5C122FD01 , 5C122FD07 , 5C122HB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-007326 出願人：キヤノン株式会社

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