磁気メモリ素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：脇篤夫 , 鈴木伸夫 , 中川裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-183631
公開番号（公開出願番号）：特開2012-043967
出願日： 2010年08月19日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】垂直磁化を用いた磁気メモリ素子において、作製プロセスに耐え、薄い膜厚で大きな保磁力と高い耐熱性を有する参照層を実現する。【解決手段】参照層は、20原子%以上50原子%以下のPtを含有し、1nm以上5nm以下の膜厚を有する、少なくとも2以上のCoPt層が、Ru層を介して積層された構造を有するものとする。そしてRu層の厚みは、0.45±0.05nmあるいは0.9±0.1nmとする。またCoPt層の結晶の3回対称軸が膜面垂直に配向する。またスピン注入層との界面を、1.5nm以下のCo又はFeを主成分とする高スピン分極層とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、膜面に垂直な磁化を有すると共に情報の基準となる参照層と、上記記憶層と上記参照層の間に設けられる非磁性体によるスピン注入層と、を有し、上記記憶層、上記スピン注入層、上記参照層を有する層構造に対して電流を流した際に発生するスピントルクで上記記憶層の磁化反転を行って情報を記憶するとともに、上記参照層は、 20原子%以上50原子%以下のPtを含有し、1nm以上5nm以下の膜厚とされた、少なくとも2以上のCoPt層が、Ru層を介して積層された構造を有し、上記Ru層の厚みは、0.45±0.05nmあるいは0.9±0.1nmであり、上記CoPt層の結晶の3回対称軸が膜面垂直に配向し、上記スピン注入層との界面が、1.5nm以下のCo又はFeを主成分とする高スピン分極層で構成されている磁気メモリ素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01F 10/16 , H01F 10/32

FI (6件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z , H01F10/16 , H01F10/32

Fターム (56件)：

4M119AA06 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA05 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5F092AA08 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB90 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC18 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE24 , 5F092BE27

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