成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207962
公開番号（公開出願番号）：特開2012-109537
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。【解決手段】アミノシラン系ガスを供給する供給機構122、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構121を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内101において順次実行する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成された、導電体に達する開孔の埋め込みに使用可能な成膜装置であって、前記導電体上に、この導電体に達する開孔を有した絶縁膜が形成されている被処理体を収容する一つの処理室と、前記処理室内に、アミノシラン系ガス、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給するガス供給機構と、を備え、 (1) 前記処理室内に前記アミノシラン系ガスを供給し、前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及び (2) 前記処理室内に前記アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記シード層上にシリコン膜を形成する処理が、前記一つの処理室内において順次実行されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/285

FI (6件)：

H01L21/205 , H01L21/28 301A , H01L21/28 A , H01L21/88 P , H01L21/90 C , H01L21/285 C

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104DD23 , 4M104DD24 , 4M104DD26 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104DD92 , 4M104FF21 , 4M104HH13 , 4M104HH15 , 5F033JJ05 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033NN13 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033XX02 , 5F033XX09 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045BB08 , 5F045CB10 , 5F045DA53 , 5F045DP19 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045HA03 , 5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (7件)

特許第4967066号
光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-518299 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-252329 出願人：東京エレクトロン株式会社

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