特許
J-GLOBAL ID：201203066277784574

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
服部 繁樹

服部 繁樹 について

, 
市原 玲華

市原 玲華 について

, 
寺井 勝哉

寺井 勝哉 について

, 
西沢 秀之

西沢 秀之 について

, 
多田 宰

多田 宰 について

, 
浅川 鋼児

浅川 鋼児 について

, 
福家 浩之

福家 浩之 について

, 
御子柴 智

御子柴 智 について

, 
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について

, 
青地 英明

青地 英明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-252381
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104675
出願日： 2010年11月10日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】集積度を向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1積層構造体と、第1半導体層と、第1有機膜と、第1半導体側絶縁膜と、第1電極側絶縁膜と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。前記第1積層構造体は、第1方向に沿って積層された複数の第1電極膜と、前記複数の第1電極膜どうしの間に設けられた第1電極間絶縁膜と、を有する。前記第1半導体層は、前記複数の第1電極膜の側面に対向する。前記第1有機膜は、前記複数の第1電極膜の前記側面と前記第1半導体層との間に設けられ有機化合物を含む。前記第1半導体側絶縁膜は、前記第1有機膜と前記第1半導体層との間に設けられる。前記第1電極側絶縁膜は、前記第1有機膜と前記複数の第1電極膜の前記側面との間に設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1方向に沿って積層された複数の第1電極膜と、前記複数の第1電極膜どうしの間に設けられた第1電極間絶縁膜と、を有する第1積層構造体と、 前記複数の第1電極膜の側面に対向する第1半導体層と、 前記複数の第1電極膜の前記側面と前記第1半導体層との間に設けられ有機化合物を含む第1有機膜と、 前記第1有機膜と前記第1半導体層との間に設けられた第1半導体側絶縁膜と、 前記第1有機膜と前記複数の第1電極膜の前記側面との間に設けられた第1電極側絶縁膜と、 を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (10件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/28 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/10 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (7件)：
H01L27/10 434 ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310D
Fターム (30件)：
5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA42 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA01 ,  5F101BA42 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BE05 ,  5F101BE06
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM