特許

J-GLOBAL ID：201203066724153609

圧電体薄膜の加工方法

発明者： 堀切 文正 ,  柴田 憲治 ,  末永 和史 ,  渡辺 和俊 ,  野本 明
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-201577
公開番号（公開出願番号）：特開2012-059909
出願日： 2010年09月09日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、制御性よく加工を停止させることができる圧電体薄膜の加工方法を提供する。【解決手段】Arを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第1の加工工程と、フッ素系反応性ガスとArとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第2の加工工程とを備えることで、圧電体薄膜を短時間で制御性良くエッチングすることが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電体薄膜の加工方法において、Arを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第1の加工工程と、フッ素系反応性ガスとArとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第2の加工工程とを有する圧電体薄膜の加工方法。

IPC (7件)：

H01L 41/24 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  C04B 35/00 ,  C04B 41/91

FI (8件)：

H01L41/22 A ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z ,  C04B35/00 J ,  C04B41/91 E ,  C04B41/91 C

Fターム (9件)：

4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030AA36 ,  4G030BA10 ,  4G030CA08 ,  4G030GA10 ,  4G030GA20 ,  4G030GA36