磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (22件)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-208042
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064774
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流での磁化反転が可能なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備え、第1磁性層および第2磁性層のうちの少なくとも一方が、第1磁性膜と、非磁性層側に設けられた第2磁性膜とが積層された構造を有し、第2磁性膜が、磁性材料層と非磁性材料層とが少なくとも2周期以上繰り返して積層された構造を有し、第2磁性膜の前記非磁性材料層が、Ta、W、Hf、Zr、Nb、Mo、Ti、V、Crの中から選ばれる少なくとも1つの元素を含み、第1磁性層と第2磁性層との間を、非磁性層を介して電流を流すことにより第1磁性層および第2磁性層の一方の磁化方向が可変となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層のうちの少なくとも一方が、第1磁性膜と、前記非磁性層側に設けられた第2磁性膜とが積層された構造を有し、前記第2磁性膜が、磁性材料層と非磁性材料層とが少なくとも2周期以上繰り返して積層された構造を有し、前記第2磁性膜の前記非磁性材料層が、Ta、W、Hf、Zr、Nb、Mo、Ti、V、Crの中から選ばれる少なくとも1つの元素を含み、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間を、前記非磁性層を介して電流を流すことにより前記第1磁性層および前記第2磁性層の一方の磁化方向が可変となることを特徴する磁気抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01F 10/16 , H01L 29/82

FI (6件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01F10/32 , H01F10/16 , H01L29/82 Z

Fターム (42件)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA04 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24

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