特許

J-GLOBAL ID：201203068601502199

気相成長装置

発明者： 茂木 正彦 ,  堀尾 直史
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人藤村合同特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-218602
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074560
出願日： 2010年09月29日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：

【課題】 2フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。【解決手段】 気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガス噴出口および押さえガス噴出口から離れた材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、押さえガス噴出口および材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、 前記基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、前記材料ガス噴出口から前記基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、 前記基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、前記押さえガス噴出口から押さえガスを、前記基板の法線方向から所定角度範囲で且つ前記基板の面積より広い面積で、押さえガス流として前記基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、 前記材料ガス噴出口および前記押さえガス噴出口から離れた前記材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、前記押さえガス噴出口および前記材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J

Fターム (34件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030DA09 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB15 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EK07