特許
J-GLOBAL ID：201203068900158070
半導体チップの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-062292
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199374
出願日： 2011年03月22日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】 半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動して、表面に形成されているパターンの認識、及びストリート位置の検出が困難になる。【解決手段】 表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの表面に、ストリートに沿って溝を形成する。半導体ウエハの裏面から、半導体ウエハを通して溝の位置を検出する。溝が検出された位置に基づいて、半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、溝に対応する位置の半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する。溝及び改質領域の位置で、半導体ウエハを小片に分離する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、前記チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの該表面に、前記ストリートに沿って溝を形成する工程と、
前記半導体ウエハの裏面から、前記半導体ウエハを通して前記溝の位置を検出する工程と、
前記溝が検出された位置に基づいて、前記半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、前記溝に対応する位置の前記半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する工程と、
前記溝及び前記改質領域の位置で、前記半導体ウエハを小片に分離する工程と
を有する半導体チップの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 C
, B23K26/00 D
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/00 P
4E068AA05
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068AJ01
, 4E068CA08
, 4E068CA09
, 4E068CA14
, 4E068CA17
, 4E068CB08
, 4E068CC01
, 4E068CC02
, 4E068CE09
, 4E068DA10
