特許
J-GLOBAL ID：201203069075485787
基板処理システムを維持する技術
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 山口 雄輔
, 川原 敬祐
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-544398
公開番号（公開出願番号）：特表2012-518267
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
プラズマプロセスキット及びそのコンポーネント(図2参照)を損傷を与えることなく維持する技術及びシステムを開示する。具体的には、プラズマドーピング(PLAD)システムの汚染されたキットのコンポーネントを、それらの寿命及び再利用を長くするために、精密洗浄し回復させる技術を開示する。開示の方法は石英、アルミニウム及び/又は氏からなるコンポーネントの検査、前洗浄、機械的処理及びテクスチャ化、後洗浄、クリーンルームクラス洗浄及び包装の段階を踏む。開示の技術は所望の清浄度レベルを達成するために(主として化学的及び機械的)種々の手段の組み合わせを利用する。誘導結合プラズマ-質量スペクトロメータ(ICP-MS)及びレーザ粒子カウンタを含む方法により得られた結果から、これらの技術の有効性が確かめられた。
請求項（抜粋）：
プラズマドーピングチャンバの内部表面を劣化及び不所望の粒子、凝縮汚染及びチャンバ内で発生される金属ドーパント材料からシールドし保護し得る、半導体材料処理用の一組のプラズマドーピングプロセスキットであって、前記一組のプラズマドーピングプロセスキットは、
(a)アルミニウム材料からなり、高い純度のシリコン材料で被覆された内部表面を有し、そのシリコンテクスチャ表面は約200〜から300μinの平均表面粗さRaを有し、約200〜400μmの皮膜厚さを有するチャンバシールドライナコンポーネントと、
(b)アルミニウム材料からなり、シリコン被覆テクスチャ表面を有し、そのシリコンテクスチャ表面は約200〜300μinの平均表面粗さRaを有し、約150〜300μmの皮膜厚さを有する、冷却バッフルプレートコンポーネントと、
(c)ポリシリコン材料からなり、基板の周囲にテクスチャ表面を有し、そのテクスチャ表面は約10〜20μinの平均表面粗さRaを有し、約200オーム未満の表面抵抗率を有する、プラテンシールドリングコンポーネントと、
(d)0.080インチの厚さを有する石英材料からなり、約10〜30μinの平均表面粗さRaを有するテクスチャ表面を有する、RFウィンドウシールドライナコンポーネントと、
(e)0.080インチの厚さを有する石英材料からなり、約10〜30μinの平均表面粗さRaを有するテクスチャ表面を有する、上部ウィンドウシールドライナコンポーネントと、
(f)0.167インチの厚さを有する石英材料からなり、約10〜30μinの平均表面粗さRaを有するテクスチャ表面を有する、ペデスタルブッシングシールドライナコンポーネントと、
を備える、一組のプラズマドーピングプロセスキット。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, H01J 37/32
, C23C 16/507
, C23C 16/44
H01L21/265 F
, H01J37/32
, C23C16/507
, C23C16/44 J
4K030DA06
, 4K030FA04
, 4K030KA02
