特許
J-GLOBAL ID：201203069628910341
テルル化カドミウム太陽電池の薄膜層をスクライブする方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池田 成人
, 山口 和弘
, 野田 雅一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074462
公開番号（公開出願番号）：特開2012-213802
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】基板上の薄膜材料のスクライブ加工に好適なレーザパルスを用いる方法及び装置を提供する。【解決手段】光パルスを生成するように動作可能なレーザを用意するステップを含む。光パルスは、第1のパワーレベルを光パルスの第1の部分の期間中有し、第1のパワーレベル未満の第2のパワーレベルを光パルスの第2の部分の期間中有する時間プロファイルを特徴とする。この方法はまた、光パルスをCdTe太陽電池構造に当てるように誘導するステップを含む。CdTe太陽電池構造は、基板、基板に隣接する透過スペクトル制御層、透過スペクトル制御層に隣接するバリア層、及びバリア層に隣接する導電層を含む。この方法はまた、導電層の除去加工を開始するステップと、絶縁層を除去する前に除去加工を終了するステップとを含む。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の層と、前記第1の層と接触する第2の層とを含む薄膜構造の少なくとも一部分を除去する方法であって、
第1のピークパワーレベルを第1の部分の期間中有し、それに続く第2のピークパワーレベルを第2の部分の期間中有する時間パルス形状を特徴とするレーザパルスを供給するステップと、
前記レーザパルスを前記薄膜構造に当てるように誘導するステップと、
前記第1の層における除去加工を前記第1の部分の期間中に開始するステップと、
前記除去加工を前記第2の部分の期間中維持するステップと、
前記第2の部分の終わりに前記除去加工を終了させるステップと
を含む、方法。
IPC (3件)：
B23K 26/40
, B23K 26/00
, B23K 26/073
B23K26/40
, B23K26/00 D
, B23K26/073
4E068AD00
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA17
, 4E068CD05
, 4E068DA09
, 4E068DB14
