特許

J-GLOBAL ID：201203069668393811

成形チップの製造方法および装置

発明者： マイケル エス.レオン ,  エリック ジェイ.ターサ ,  ジェームズ イベットソン
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026327
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138588
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：

【課題】単純で使用し易く、コーティング層の幾何形状および厚さがほぼ同一であるコーティングされた発光ダイオード(LED)の製造を可能にする。【解決手段】発光ダイオード(LED)122は、2つの反対にドープされた層の間に活性領域を備えている複数の半導体層、前記半導体層の1つの表面から到達可能な正及び負のコンタクト、前記活性領域は前記コンタクトに印加される電気信号に応じて光を放射し、及び、前記半導体層の表面を覆うマトリックス材料の共形のコーティング(前記コンタクトの少なくとも一部分は前記マトリックス材料により覆われていない)、を備えている。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

2つの反対にドープされた層の間に活性領域を備えている複数の半導体層、 前記半導体層の1つの表面から到達可能な正及び負のコンタクト、前記活性領域は前記コンタクトに印加される電気信号に応じて光を放射し、及び、 前記半導体層の表面を覆うマトリックス材料の共形のコーティング、前記コンタクトの少なくとも一部分は前記マトリックス材料により覆われていない、 を備えていること、を特徴とする発光ダイオード(LED)。

IPC (1件)：

H01L 33/50

FI (1件)：

H01L33/00 410

Fターム (7件)：

5F041AA11 ,  5F041AA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA59 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-003788   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-059072   出願人：日亜化学工業株式会社