特許

J-GLOBAL ID：201203070601310340

積層型半導体装置

発明者： 家地 洋之 ,  工藤 一浩 ,  渡邊 康之
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  国立大学法人 千葉大学
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-132152
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258760
出願日： 2010年06月09日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：

【課題】小型、簡単構造でかつ高性能な積層型電界効果トランジスタからなる積層型半導体装置を提供する。【解決手段】第一の電極1eと第二の電極2eの間で、且つ第一の半導体層1s内に形成されるチャネル領域により構成される第一の電界効果トランジスタ11と、第四の電極4eと第五の電極5eの間で、且つ第二の半導体層2s内に形成されるチャネル領域により構成される第二の電界効果トランジスタ12と、が積層され、第三の電極3eが第一の半導体層1s、第二の半導体層2sのゲート電極であり、第一の電極1eが第一の半導体層1sのソース電極、第二の電極2eが第一の半導体層1sのドレイン電極であり、第四の電極4eが第二の半導体層2sのソース電極、第五の電極が第二の半導体層2sのドレイン電極であって、第一の電界効果トランジスタ11の導電型と第二の電界効果トランジスタ12の導電型が異なるCMOS回路を構成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

絶縁基板上、或いは、導電性基板の表面を絶縁化した基板上に形成され、少なくとも、断面形状が概略四角形で、互いに概略平行に配置された、第一の電極、と、第二の電極を配置し、 少なくとも、前記第一の電極と前記第二の電極、及び、前記第一の電極と前記第二の電極の間を、一様に覆うように、第一の半導体層を形成し、 前記第一の半導体層を、一様に覆うように第一の絶縁層を形成し、 前記第一の絶縁層上に、少なくとも、前記第一の電極、及び、前記第二の電極、及び、前記第一の電極と前記第二の電極の間を、前記第一の絶縁層を介して、一様に覆うように形成した第三の電極を形成し、 前記第三の電極、及び、前記第三の電極形成時に第三の電極によって覆われなかった第一の絶縁層を、一様に覆うように形成した第二の絶縁層を備え、 前記第二の絶縁層を、一様に覆うように、第二の半導体層を形成し、 前記第二の半導体層上に、少なくとも、断面形状が概略四角形で、互いに概略平行に配置された、第四の電極、と、第五の電極を配置し、 前記第三の電極が前記第一の半導体層、及び、前記第二の半導体層のゲート電極であって、 前記第一の電極が前記第一の半導体層のソース電極、前記第二の電極が前記第一の半導体層のドレイン電極、及び、前記第四の電極が前記第二の半導体層のソース電極、前記第五の電極が前記第二の半導体層のドレイン電極であって、 前記第一の電極、と、前記第二の電極の間で、且つ、前記第一の半導体層内に形成されるチャネル領域により、第一の電界効果トランジスタが構成され、 前記第四の電極、と、前記第五の電極の間で、且つ、前記第二の半導体層内に形成されるチャネル領域により、第二の電界効果トランジスタが構成され、 前記第一の電界効果トランジスタの導電型と前記第二の電界効果トランジスタの導電型が異なる、CMOS回路を構成することを特徴とする、積層型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08

FI (10件)：

H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 617M

Fターム (45件)：

5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC02 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB11 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048CB01 ,  5F048CB04 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34