特許
J-GLOBAL ID：201203070809129577

保護素子、及び、保護素子の製造方法

発明者：
米田 吉弘

米田 吉弘 について


出願人/特許権者：
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社

ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 について


代理人 (5件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-135806
公開番号（公開出願番号）：特開2012-003878
出願日： 2010年06月15日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することが可能な保護素子を提供する。【解決手段】各電極114は、基板111上に積層された第1の導電層112と、第1の導電層112が積層された基板111上の面方向に互いに離間した位置に積層された第2の導電層113とから形成され、半田ペースト116は、電極114との濡れ性が基板111よりも高く、第1の導電層112と第2の導電層113とが積層された基板111上に積層され、抵抗体103が発する熱、及び、電極114と半田ペースト116とからなる積層部が発する熱との少なくとも一方により溶融することで、電極114間に積層された第1の導電層112を浸食しながら、基板111に比べて濡れ性が高い電極114側に引き寄せられて溶断される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板と、 上記基板上に複数形成された電極と、 上記電極間の電流経路に接続され、加熱により溶断されることで該電流経路を遮断する低融点金属体と、 通電すると上記低融点金属体を溶融する熱を発する抵抗体とを備え、 上記各電極は、上記基板上に積層された第1の導電層と、該第1の導電層が積層された基板上の面方向に互いに離間した位置に積層された第2の導電層とから形成され、 上記低融点金属体は、上記電極との濡れ性が上記基板よりも高く、上記第1の導電層と上記第2の導電層とが積層された基板上に積層され、上記抵抗体が発する熱、及び、該電極と該低融点金属体とからなる積層部が発する熱の少なくとも一方により溶融することで、上記電極間に積層された第1の導電層を浸食しながら、該基板に比べて濡れ性が高い該電極側に引き寄せられて溶断されることを特徴とする保護素子。
IPC (1件)：
H01H 37/76
FI (3件)：
H01H37/76 P ,  H01H37/76 F ,  H01H37/76 L
Fターム (6件)：
5G502AA02 ,  5G502BA08 ,  5G502BB08 ,  5G502EE01 ,  5G502FF08 ,  5G502JJ01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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