半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-190650
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151435
出願日： 2011年09月01日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】タングステン膜を使用した部分の抵抗を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板内に設けた開口部内、又は基板上にタングステン膜を形成する。タングステン膜の形成後、エッチバック又はエッチングを行う前にタングステン膜に対してアニール処理を行う。これにより、タングステン膜の結晶状態を変化させる。【選択図】図22

請求項（抜粋）：

基板内に開口部を設ける工程と、前記開口部内を埋め込むように前記基板上にタングステン膜を形成する工程と、前記タングステン膜を形成した後、前記タングステン膜のアニール処理を行う工程と、前記アニール処理後、前記タングステン膜のエッチバックを行うことにより少なくとも前記開口部内にタングステン膜を残留させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (8件)：

H01L21/28 301R , H01L29/58 G , H01L21/285 C , H01L21/88 J , H01L21/88 M , H01L21/28 B , H01L27/10 621C , H01L27/10 671B

Fターム (92件)：

4M104AA01 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD42 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD47 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH28 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM15 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS27 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX04 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F083AD04 , 5F083AD24 , 5F083AD31 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40

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