特許

J-GLOBAL ID：201203072268159225

ワードライン昇圧回路、記憶装置、集積回路装置、及び電子機器

発明者： 徳田 泰信 ,  正田 真樹 ,  小林 等 ,  宮▲崎▼ 竹志 ,  応 力軍
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036814
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174315
出願日： 2011年02月23日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】メモリーセルの特性変動やばらつき等に追従してワードラインに供給する昇圧電圧を調整するワードライン昇圧回路、記憶装置、集積回路装置、及び電子機器等を提供する。【解決手段】メモリーセルを選択するためのワードラインに昇圧電圧を供給するためのワードライン昇圧回路140は、ワードラインに供給する昇圧電圧を生成する昇圧回路200と、昇圧電圧に基づいて、メモリーセルの読み出し電流に対応したレベル検出用電流を生成するレベル検出用電流生成回路212と、レベル検出用電流に基づいて昇圧回路200の昇圧動作の停止制御を行う昇圧停止制御回路214とを含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

メモリーセルを選択するためのワードラインに供給される昇圧電圧を生成するワードライン昇圧回路であって、 前記ワードラインに供給する前記昇圧電圧を生成する昇圧回路と、 前記昇圧電圧に基づいて、前記メモリーセルの読み出し電流に対応したレベル検出用電流を生成するレベル検出用電流生成回路と、 前記レベル検出用電流に基づいて前記昇圧回路の昇圧動作の停止制御を行う昇圧停止制御回路とを含むことを特徴とするワードライン昇圧回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (3件)：

G11C17/00 633B ,  G11C17/00 632A ,  G11C17/00 624

Fターム (14件)：

5B125BA01 ,  5B125CA13 ,  5B125CA14 ,  5B125EC03 ,  5B125EC06 ,  5B125EG02 ,  5B125EG05 ,  5B125EG08 ,  5B125EH04 ,  5B125EH08 ,  5B125EJ09 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125FA02