特許

J-GLOBAL ID：201203073050284474

光非相反素子製造方法及び光非相反素子

発明者： 横井 秀樹
出願人/特許権者： 学校法人 芝浦工業大学
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  土屋 徹雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008065331
公開番号（公開出願番号）：WO2010-023738
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

ウェハボンディング処理を用いずに、Si導波層と磁気光学材料層とから構成される光非相反素子を製造することができる新たな技術を提供する。基板上に磁気光学材料層を成膜し、前記磁気光学材料層の上にSi層を成膜し、前記Si層に導波路を形成し、前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができるように、前記磁気光学材料層を磁化する。

請求項（抜粋）：

基板上に磁気光学材料層を成膜し、 前記磁気光学材料層の上にSi層を成膜し、 前記Si層に導波路を形成し、 前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができるように、前記磁気光学材料層を磁化する、光非相反素子製造方法。

IPC (3件)：

G02B 27/28 ,  G02F 1/095 ,  G02B 6/12

FI (3件)：

G02B27/28 A ,  G02F1/095 ,  G02B6/12 L

Fターム (31件)：

2H079AA03 ,  2H079BA03 ,  2H079CA06 ,  2H079DA13 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079EB18 ,  2H147AB22 ,  2H147AC07 ,  2H147BA07 ,  2H147BB09 ,  2H147BE03 ,  2H147BE13 ,  2H147BE15 ,  2H147CA25 ,  2H147EA07B ,  2H147EA07C ,  2H147EA13A ,  2H147EA25B ,  2H147FA09 ,  2H147FA11 ,  2H147FC01 ,  2H147FD20 ,  2H147GA15 ,  2H147GA16 ,  2H199AA05 ,  2H199AA07 ,  2H199AA08 ,  2H199AA23 ,  2H199AA26 ,  2H199AA64