特許
J-GLOBAL ID:201203073375016492

太陽電池用シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安倍 逸郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-199052
公開番号(公開出願番号):特開2012-230929
出願日: 2009年08月28日
公開日(公表日): 2012年11月22日
要約:
【課題】受光面積を拡大させて高い光電変換効率が得られ、スライスとは別の凹凸形成工程が不要で、シリコン系太陽電池の製造コストも低減可能な太陽電池用シリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】スライス時のワイヤの動作条件として、ワイヤ列の双方向への走行を採用した。これにより、太陽電池用シリコンウェーハの表裏面に同方向に向かう多数の直線状の微細な凹溝を形成することができる。その結果、太陽電池用シリコンウェーハの受光面積が拡大し、高い光電変換効率が得られる。しかも、スライスとは別の凹溝形成工程が不要となり、シリコン系太陽電池の製造コストの低減が図れる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
PN接合および電極が形成されてシリコン系太陽電池に加工される太陽電池用シリコンウェーハにおいて、 同方向に向う多数の直線状の凹溝が、表裏面に形成された太陽電池用シリコンウェーハ。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 H
Fターム (16件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA20 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151GA20

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