特許

J-GLOBAL ID：201203074542254208

グラフェン膜の形成方法

発明者： 吉井 重雄 ,  松川 望
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-085148
公開番号（公開出願番号）：特開2012-218967
出願日： 2011年04月07日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

グラフェン膜を形成する方法であって、 炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で、銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を加熱することによって、前記金属膜上にグラフェン膜を成長させる工程と、 前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、 前記金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程とを有する、 グラフェン膜を形成する方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (12件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146CB29