無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：大野聖二 , 森田耕司 , 田中玲子 , 片山健一 , 鈴木守 , 加藤真司 , 津田理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-546946
公開番号（公開出願番号）：特表2012-516560
出願日： 2010年01月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：

溶液処理法を用いてソース及びドレイン電極を基板上に被着させるステップと、溶液処理法を用いて仕事関数改変層をソース及びドレイン電極上に形成するステップと、溶液処理法を用いて有機半導体材料をソース及びドレイン電極の間のチャネル領域に被着させるステップとを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

有機薄膜トランジスタの製造方法であって、溶液処理法を用いてソース及びドレイン電極を基板上に被着させるステップと、溶液処理法を用いて仕事関数改変層をソース及びドレイン電極上に形成するステップと、溶液処理法を用いて有機半導体材料をソース及びドレイン電極の間のチャネル領域に被着させるステップとを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 21/28

FI (9件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 370 , H01L29/78 616V , H01L29/78 616K , H01L29/78 616U , H01L21/288 E , H01L21/288 M , H01L21/28 301B

Fターム (41件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD62 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG13 , 4M104HH15 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK42

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-144030 出願人：松下電器産業株式会社
特開平1-243528
電子装置の製造方法、巻き取り製造工程、薄膜トランジスタ及び塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-297445 出願人：セイコーエプソン株式会社

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