特許
J-GLOBAL ID:201203074891423629

磁気記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工藤 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-164609
公開番号(公開出願番号):特開2012-028489
出願日: 2010年07月22日
公開日(公表日): 2012年02月09日
要約:
【課題】材料やプロセスの選択の幅が広がり、良好な特性を持ち製造が容易な磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、記憶するデータにより磁化状態が変化するフリー磁性体と、フリー磁性体に隣接して設けられ、磁化方向が固定された磁化固定磁性体と、フリー磁性体の磁化状態を評価する読み出し部とを具備している。フリー磁性体は、データにより磁化方向が容易軸方向のいずれかに変化する記憶領域と、記憶領域に隣接して設けられ、記憶領域から遠ざかるにつれ磁化方向が容易軸方向からずれていく磁化方向遷移領域とを備えている。磁化固定磁性体と磁化方向遷移領域とは少なくとも一部が重なるように電気的に接続されている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
記憶するデータにより磁化状態が変化するフリー磁性体と、 前記フリー磁性体に隣接して設けられ、磁化方向が固定された磁化固定磁性体と、 前記フリー磁性体の磁化状態を評価する読み出し部と を具備し、 前記フリー磁性体は、 前記データにより磁化方向が容易軸方向のいずれかに変化する記憶領域と、 前記記憶領域に隣接して設けられ、前記記憶領域から遠ざかるにつれ磁化方向が前記容易軸方向からずれていく磁化方向遷移領域と を備え、 前記磁化固定磁性体と前記磁化方向遷移領域とは少なくとも一部が重なるように電気的に接続されている 磁気記憶装置。
IPC (3件):
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08
FI (2件):
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (21件):
4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC13 ,  5F092GA03

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